Cornell Üniversitesi, 7 eV bant aralıklı ilk işlevsel transistörü ürettiCornell University produces first working transistor with 7 eV bandgap

Cornell Üniversitesi ekibi, silikon katkısı ile 7 eV üzeri bant aralığına sahip yarı iletkeni ilk kez çalışan bir transistörde kullandı. Bu malzeme, elektrikli araçlar ve güç şebekelerinde enerji verimliliğini artırma potansiyeli taşıyor.A Cornell University team used a semiconductor with a bandgap above 7 eV, doped with silicon, in the first working transistor. This material has the potential to increase energy efficiency in electric vehicles and power grids.