UC San Diego, lazerle manyetik bellek hızını 1.000 kat artırabilirUC San Diego could increase laser-based magnetic memory speed by 1,000 times

Araştırmacılar, lazer ışınıyla manyetik durumları değiştirerek veriyi yazmanın geleneksel yöntemlerden 1.000 kat daha hızlı olabileceğini gösterdi. Bu teknik, daha küçük, hızlı ve enerji verimli bellek cihazlarının önünü açabilir.Researchers have shown that writing data by altering magnetic states with a laser beam could be 1,000 times faster than conventional methods. This technique could pave the way for smaller, faster, and more energy-efficient memory devices.